在科技創(chuàng)新論壇會議上，臺積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森除了探討未來半導(dǎo)體工藝延續(xù)到0.1 nm的可能之外，還宣布了一個(gè)重要消息——臺積電已經(jīng)啟動(dòng)2 nm工藝研發(fā)，預(yù)計(jì)四年后問世。

在臺積電目前的工藝規(guī)劃中，6 nm只是7 nm的一個(gè)升級版，明年第一季度試產(chǎn)。5 nm全面導(dǎo)入EUV極紫外光刻，已經(jīng)開始風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年年底之前量產(chǎn)，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)，之后還有個(gè)增強(qiáng)版的N5P工藝。3 nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。在3 nm之后，就要進(jìn)入2 nm工藝了，實(shí)際上臺積電今年6月份就宣布研發(fā)2 nm工藝了，工廠設(shè)置在位于臺灣新竹的南方科技園，預(yù)計(jì)2024年投入生產(chǎn)。

按照臺積電給出的指標(biāo)，2 nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3 nm一樣維持在5x，同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30 nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20 nm，相比于3 nm都小了23％。