數(shù)據(jù)中心沖刺 800G/1.6T，硅光 / CPO 技術(shù)受硅基材料高損耗制約，傳統(tǒng)光源功率不足。Santec 高功率可調(diào)諧激光器TSL-570 Type H以 20dBm 峰值功率等優(yōu)勢(shì)強(qiáng)勢(shì)破局，加速技術(shù)落地。

市場(chǎng)痛點(diǎn)：硅光/CPO亟需“強(qiáng)力心臟”

隨著數(shù)據(jù)中心邁向800G/1.6T時(shí)代，硅光集成（SiPh）與共封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)成為關(guān)鍵突破口。硅基材料的損耗較高，主要是以下兩個(gè)方面的原因：

• 高材料損耗： 硅波導(dǎo)損耗達(dá)3-5dB/cm
• 密集耦合挑戰(zhàn)： 芯片級(jí)集成引入額外插損

因此，傳統(tǒng)光源功率不足，導(dǎo)致測(cè)試信號(hào)衰減、誤碼率飆升，成為技術(shù)落地的“卡脖子”難題。

破局利器：TSL-570 Type H硬核登場(chǎng)

Santec 高功率可調(diào)諧激光器TSL-570 Type H，專為高損耗場(chǎng)景而生，三大突破直擊痛點(diǎn)：

✅ 巔峰功率：

• 峰值功率突破20dBm（100mW+），全波段保證≥16dBm更高功率的解決方案可以定制。
• 即便在損耗最高的O波段（1260-1360nm），仍保持+16dBm輸出，為硅光鏈路注入強(qiáng)心劑。

✅ 超精度控制：

• 0.1pm波長(zhǎng)分辨率，±1pm絕對(duì)精度。
   
• 精準(zhǔn)匹配硅光器件測(cè)試需求。

✅ 極速掃描：

• 200nm/s掃頻速度，較傳統(tǒng)設(shè)備提速5倍。
• 快速完成多通道CPO器件特性分析。

實(shí)戰(zhàn)場(chǎng)景：賦能下一代光互聯(lián)

硅光芯片的測(cè)試需要很多的步驟和流程，在每個(gè)階段的測(cè)量，需要不同的儀表去協(xié)同完成，santec 的優(yōu)勢(shì)正是體現(xiàn)在我們可以完整的測(cè)試儀表，來(lái)滿足不同階段的測(cè)試需求。

✅ 快速耦合場(chǎng)景

• 實(shí)時(shí)IL功率反饋，MPM-212/OPM-200 可以模擬電壓輸出端口直接驅(qū)動(dòng)位移臺(tái)。
• OSX光開關(guān)可以切換不同的通道，監(jiān)控不同的指標(biāo)。
• RLM 實(shí)現(xiàn)光路RL的監(jiān)控。

✅ 硅光子芯片驗(yàn)證

• TSL 快速掃描，MPM 快速采集，實(shí)現(xiàn)IL，PDL光譜測(cè)量。
• 搭配SPA的情況下，還可以實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部故障分析。

測(cè)試系統(tǒng)案例：

技術(shù)護(hù)航：工業(yè)級(jí)可靠性保障

• 高精度光源：掃描波長(zhǎng)絕對(duì)精度＜±1.5pm。
• 智能安全防護(hù)：符合IEC 60825-1 Class 3B激光安全標(biāo)準(zhǔn)。
• 全場(chǎng)景接口：GPIB/USB/Ethernet多種控制接口兼容，無(wú)縫接入自動(dòng)化產(chǎn)線。

面對(duì)硅光與 CPO 技術(shù)的發(fā)展，TSL-570 Type H 以 20dBm 峰值功率解決高損耗問(wèn)題，其精度控制和掃描性能適配實(shí)戰(zhàn)需求。加上可靠的工業(yè)級(jí)品質(zhì)與完整測(cè)試方案，可為企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)在光電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展中提供支持，助力技術(shù)推進(jìn)。

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