近日，華工科技中央研究院與中國科學技術大學合作開展的寬禁帶化合物半導體激光退火研究取得重大進展，由中國科學技術大學李家文教授為通訊作者，華工科技中央研究院半導體項目技術負責人黃偉博士為共同通訊作者所著的論文《Numerical simulation and experimental investigation of laser pulse duration effects on Ni/SiC ohmic contacts during ultraviolet laser annealing》在國際知名學術期刊《Optics and Laser Technology》正式發(fā)表，標志著我國在半導體激光制程領域的基礎研究獲得國際學術界認可。

該論文的研究內容聚焦在高能量紫外脈沖激光作用于寬禁帶化合物半導體碳化硅（SiC）晶體材料及金屬表面的作用機制，分析激光引發(fā)的材料物理化學變化，精準揭示其對半導體器件電學性能的影響。

研究團隊通過高能量紫外脈沖激光作用于碳化硅（SiC）晶體及金屬表面，首次系統及深刻地揭示了不同紫外激光脈寬下調控寬禁帶化合物半導體器件電學性能的原理和方法，通過軟件仿真了解紫外脈沖激光在金屬鎳（Ni）薄膜和SiC中熱擴散機理和路徑，再依托華工科技自主研發(fā)的全自動SiC晶圓激光退火裝備實現工藝落地，完成Ni/SiC器件的歐姆接觸退火測試，并得到行業(yè)內較好水準的器件性能參數，為激光退火技術在化合物半導體的量產應用提供了理論依據與工藝范式。

基于研究成果轉化的華工科技全自動SiC晶圓激光退火裝備目前已實現產業(yè)化突破。該設備兼容6/8英寸晶圓及減薄片、鍵合片等各類SiC晶圓加工，通過機臺前置EFEM系統預定位，結合定制激光退火頭和精密運動平臺，實現對整片SiC晶圓背金面(Ni/Ti層)退火，形成良好歐姆接觸，降低接觸電阻，提高器件電學性能。經量產驗證，該裝備WPH≥15片（每四分鐘可加工一片晶圓），工藝均勻性≥95%，關鍵指標居行業(yè)領先水平，目前已在半導體廠商投入實際驗證。

轉自：華工激光

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